2、與傳統(tǒng)工藝長達7-14天的晶體生長周期相比,UKING ERH SiC RV4.0設備晶體生長速度更快,整個過程可控制在7天之內;

3、 自動化程度高,操控簡單,有利于批量生產,提高晶體生長效率和穩(wěn)定性。">

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電阻法碳化硅晶體生長設備UK-T6

1、完美解決了感應爐徑向溫度梯度大的技術難點,可實現徑向溫度梯度小和軸向溫度梯度可控,晶體內部缺陷少, 良率高、重復性好;

2、與傳統(tǒng)工藝長達7-14天的晶體生長周期相比,UKING ERH SiC RV4.0設備晶體生長速度更快,整個過程可控制在7天之內;

3、 自動化程度高,操控簡單,有利于批量生產,提高晶體生長效率和穩(wěn)定性。
電阻法碳化硅晶體生長設備

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