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大尺寸高質(zhì)量碳化硅（SiC）晶體電阻法生長設(shè)備，具有溫場控制精度高、晶體制備效率及質(zhì)量高等特點，能夠?qū)崿F(xiàn)SiC晶體的高效、穩(wěn)定、低缺陷生長。這是一款能夠推動我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來布局與競爭力的重大裝備。

本項目的實施將為我國戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)第三代半導(dǎo)體的發(fā)展提供重要保障，有利于推動第三代半導(dǎo)體在5G通信、射頻器件、新能源汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通等國家新興產(chǎn)業(yè)的深入應(yīng)用，符合蘇州市2023年9月印發(fā)的《關(guān)于加快培育未來產(chǎn)業(yè)的工作意見》中“開展碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等單晶襯底及外延材料制備，推動寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件、射頻器件等關(guān)鍵部件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化……”的發(fā)展戰(zhàn)略，促進江蘇省產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)型升級，確立蘇州市在我國第三代半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。